青藤产业频道
2020年,科技进程被疫情按下加速键,开启了科技浪潮下一个崭新十年。
2018年起,阿里达摩院都会自身研究及实践,与学术界和工业界进行一场顶级脑暴,对次年的的科技趋势作出了预判,趋势方向的选择综合考量了技术成熟度、产业前景和社会价值等维度。
今天,阿里达摩院重磅发布了“2021达摩院十大科技趋势”,从原子动能、比特跃迁和场景变革三大维度提出最新发展趋势,围绕基础科学技术、前沿应用突破和产业场景革新三个领域进行全方位归纳与预测,涵盖了量子计算、人工智能、脑机接口、半导体、工农业智能等十大领域的技术发展突破。
让我们共同为这些伟大的科技创新致敬!
Chapter 1 原子动能
趋势一:以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体迎来应用大爆发
以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体,具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性,但受工艺、成本等因素限制,多年来仅限于小范围应用。近年来,随着材料生长、器件制备等技术的不断突破,第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场:SiC元件已用作汽车逆变器,GaN快速充电器也大量上市。未来5年,基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。 半导体产业发展到今天,主要建立在三代材料的基础上:兴起于20世纪50年代的基于硅(Si)、锗(Ge)的第一代半导体;兴起于20世纪80年代的以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体;以及兴起于20世纪末的以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体。目前,第一代半导体材料Si应用最为广泛,它构成了一切逻辑器件的基础,CPU、GPU所提供的算力都离不开 Si 的功劳。第二代半导体主要用于高频高速场景,例如手机中的射频电路。第三代半导体相比于前两代半导体具有更宽的禁带宽度,因此也称作宽禁带半导体。更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压、更快的开关频率下运行,因此第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性,可以用作功率器件和射频器件,广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、消费电子、航空航天等领域。此外,较宽的禁带宽度使第三代半导体可用作制备短波长光电器件,例如可用于医疗消毒的紫外光源。
由于制造设备、制备工艺特别是材料成本上的劣势,多年来第三代半导体材料只是在小范围内应用。直至近几年这一局面才得以打破:一方面,在5G、新能源汽车等新兴市场中,Si基半导体的性能已无法完全满足需求,第三代半导体的性能优势被放大;另一方面,制备技术特别是大尺寸材料生长技术不断突破,SiC和GaN两种材料均从4英寸换代到6英寸并已研发出8英寸样品,加之器件制备技术逐步提升,使得第三代半导体器件性能日益稳定且成本不断下降,性价比优势逐渐显现。